
Crédito: SamsungSamsung Electronics y Broadcom sellaron un acuerdo estratégico mediante la firma de un memorando de entendimiento para ampliar su colaboración en tecnologías de memoria,fundición (foundry) y empaquetado avanzado. La alianza tiene como objetivo central fortalecer la infraestructura de semiconductores necesaria para impulsar la próxima generación de Inteligencia Artificial (IA).
Las compañías estiman que este acuerdo generará un volumen de negocio superior a los 200,000 millones de dólares durante los próximos cinco años (con proyección a 2030) en segmentos clave de memoria y manufactura de chips.
Memorias de alto ancho de banda: suministro de arquitecturas HBM4 y HBM4E.Memoria móvil y de bajo consumo: integración de tecnología LPDDR6.Almacenamiento de alta densidad: soluciones SSD basadas en tecnología QLC.Adicionalmente,ambas firmas trabajarán en el desarrollo de las futuras generaciones de tecnologías de memoria para mantener la escalabilidad de los sistemas de datos.
Para superar los límites físicos del silicio y optimizar el rendimiento energético en procesadores de IA y redes,la colaboración integrará tecnologías de empaquetado avanzado 2.3D y 2.5D. Esto permitirá una interconexión más eficiente entre chips (chiplets) de procesamiento y módulos de memoria.
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“La colaboración ampliada refleja el enfoque de Samsung en apoyar a los clientes con tecnologías de semiconductores integrales para una gama cada vez más diversa de aplicaciones de IA y computación de alto rendimiento”,afirmó Jinman Han,presidente y director del negocio de Foundry de Samsung Electronics.
Por su parte,Hock Tan,presidente y CEO de Broadcom,destacó la complementariedad de ambas plataformas: “La combinación única de tecnologías de memoria,fundición y empaquetado avanzado de Samsung nos permitirá ofrecer la próxima generación de infraestructura de IA con mayor rendimiento,eficiencia y escalabilidad.”
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